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已有 77 次阅读2017-10-27 20:51 |个人分类:经济和市场|系统分类:学术打假

抢人抢技术无用,大陆试产DRAM全失败

2017年09月26日 06:27   中国日报



  合肥睿力、福建晋华等厂 出现零良率惨状

  (新竹报导)中国砸大钱补助逾千亿人民币强力扶植半导体业,不仅重金挖角台湾
人才,甚至屡传被高薪挖角者涉嫌偷窃技术;业界传出,中国宣告要进军DRAM(动
态随机存取记忆体)的合肥睿力、福建晋华等厂,近期试产皆告惨败,砸钱挖角却因技
术不足,用偷的根本没用,中国发展DRAM产业大梦恐寸步难行。

  中国近年挖角我DRAM业界人才一波接一波。华亚科前董事长高启全、前总经理
梅国勋纷跳槽紫光集团,华亚科主管与工程师掀起一波出走潮;除紫光外,从华亚科退
休的资深副总经理刘大维等一票人跳槽合肥长鑫(睿力集成电路),预计明年切入十九
奈米制程生产DRAM;曾任力晶资深副总经理、瑞晶总经理的陈正坤,加入联电并出
任策略合作的福建晋华DRAM厂总经理,联电接受晋华委托开发DRAM相关制程技
术,预计生产三十二奈米制程的DRAM。

  但中国半导体砸钱挖人还是不管用,紫光先后对DRAM大厂美光、SK海力士收
购邀约被拒,发展DRAM暂告胎死腹中;紫光已并武汉新芯组成长江存储,发展三D
储存型快闪记忆体(NAND Flash)厂,联电前执行长孙世伟、联电新加坡厂高阶主管林
振堂也被网罗,但能否建立自主技术与量产成功,也是未知数。

  业界最近传出,中国宣告要进军DRAM的合肥睿力、委由联电开发DRAM相关
制程技术的福建晋华等厂,近期试产DRAM皆告失败,甚至良率出现零的惨状。

  专利、人力双缺 中国DRAM梦难实现

  业界分析,DRAM专利技术门槛高,韩国三星、SK海力士与美国美光三大DR
AM大厂技术防线守得紧、全力围堵,量产更是打工程人力的团体战,专利与工程人力
两大条件,中国都欠缺,光靠砸钱挖角,技术却无着落,用带枪投靠的「偷」技术方式
根本没用,中国要发展DRAM产业大梦恐难实现。

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